N/O(Si₃N₄/SiO₂) 유전막의 TDDB 특성에 미치는 상부산화조건의 영향

고재석 ,  구경완 ,  조동율 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

N / O ( Si3N4 / SiO2 ) 유전막의 Tddb 특성에 미치는 상부산화조건의 영향 ( Effects of Top OxIdation Condition on Tddb Characteristics of N / O ( Si3N4 / SiO2 ) Dielectric Films )

고재석 ,  구경완 ,  조동율 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

The Impact of TDDB Failure on Nanoscale CMOS Digital Circuits

Yeon-Bo Kim ,  Kyung Ki Kim

한국산업정보학회논문지

2012 .09

스트레스전압 극성에 따른 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin SiO2 with Stress Voltage Polarity )

김천수 ,  이경수 ,  남기수 외 1명

전자공학회논문지

1989 .05

얇은 산화막의 광 조사후 TDDB특성에 관한 연구 ( The reserch on the TDDB of thin film after the irradiation )

김재호 ,  성영권

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

Reliability Analysis Framework for Time Dependent Dielectric Breakdown

Ki ,  on Pa ,  k 외 6명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2020 .02

얇은 절연막의 TDDB 분석과 전기적 특성

박찬원 ,  김복헌

산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소

1988 .01

Analysis of Time Dependent Dielectric Breakdown in Nanoscale CMOS Circuits

Ho Joon Lee ,  Kyung Ki Kim

대한전자공학회 ISOCC

2011 .11

정전류 Stress 하에서의 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin Si02 under Constant Stress Condition )

김천수 ,  이경수 ,  남기수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

Dielectric oxide thin film의 electrical breakdown mechanism 에 대한 비교 연구 ( Comparative study of mechanisms of electrical breakdown in oxide thin films )

김효완 ,  송영진 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

퍼콜레이션 모델을 이용한 게이트 옥사이드의 신뢰성 예측

김만수 ,  배석주

대한산업공학회 춘계공동학술대회 논문집

2008 .05

Aspects of Hard Breakdown Characteristics in a 2.2-nm-thick SiO₂ Film

Kenji Komiya ,  Yasuhisa Omu ,  a

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2002 .09

N2O 질화산화막의 성장 방법 및 면적에 따른 TDDB 특성

정태식 ,  김재영 ,  이상돈 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

저온 산화공정에 의해 낮은 D를 갖는 실리콘 산화막의 제조

전법주 ,  정일현

공업화학

1998 .01

The Effects of NO-nitridation of Gate Oxide on Qbd and TDDB under Dynamic Stress

金正圭

전기학회논문지

1998 .01

The reliability analysis in gate oxide of MOSFET via percolation models

Mansoo Kim ,  Suk joo Bae

대한산업공학회 추계학술대회 논문집

2008 .11

N2O 질화산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 TDDB 특성 ( TDDB Properties of MOS Capacitors with N2O Oxynitride Layer )

이풍엽 ,  이상돈 ,  김봉열

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

HK/MGFET’s 의 Accumulation TDDB Modeling

남종익 ,  사공현철 ,  김혜진 외 5명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2016 .05

SiH4 / N2 / N2O 플라즈마에서 증착한 산화막내에 함유된 N 이 산화막의 구조적 특성 및 전기적 특성에 미치는 영향

안명환 ,  서문석 ,  윤원주 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

다결정 및 다층구조 BaTiO₃ Time-Dependent Dielectric Breakdown 특성

오정훈 ,  송만호 ,  이윤희 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .07