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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.11
- 수록면
- 3,216 - 3,221 (6page)
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The steady downscaling of SiO₂ gate oxide to the nano-scale has led to reliability concerns, and requires a fundamental understanding of their failure mechanisms. By combining stochastic defect generation processes, and the time required to construct percolation paths by the defects, this paper proposes a spatio-temporal percolation model for progressive breakdowns of ultra-thin gate oxide in a convolution form. The model simultaneously considers general patterns of defect generation and defect occurrence times presented in competing modes. This spatio-temporal model provides more precise results on the failure-time distribution of MOSFET devices, especially at lower quantiles.
목차
Abstract
1. Introduction
2. A Mixture Failure Model formed from Competing PBD Modes
3. Spatio-Temporal Percolation Model for Competing PBDs
4. Numerical Results
5. Conclusion
References
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