A Semi-analytical Model for Depletion-mode N-type Nanowire Field-effect Transistor (NWFET) with Top-gate Structure

Yun Seop Yu

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자료유형: 학술저널

저자정보: Yun Seop Yu (한경대학교)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.2

발행연도: 2010.6

수록면: 152 - 159 (8page)

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We propose a semi-analytical current conduction model for depletion-mode n-type nanowire field-effect transistors (NWFETs) with top-gate structure. The NWFET model is based on an equivalent circuit consisting of two back-to-hack Schottky diodes for the metal-semiconductor (MS) contacts and the intrinsic top-gate NWFET. The intrinsic top-gate NWFET model is derived from the current conduction mechanisms due to bulk charges through the center neutral region as well as of accumulation charges through the surface accumulation region, based on the electrostatic method, and thus it includes all current conduction mechanisms of the NWFET operating at various top-gate bias conditions. Our previously developed Schottky diode model is used for the MS contacts. The newly developed model is integrated into ADS, in which the intrinsic part of the NWFET is developed by utilizing the Symbolically Defined Device (SDD) for an equation-based nonlinear model. The results simulated from the newly developed NWFET model reproduce considerably well the reported experimental results.

#Nanowire field-effect transistor(NWFET) #depletion-mode #accumulation charge #pinch-off #Schottky diode #equivalent circuit

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1. [학술지(정기간행물)] - W.Lu / 2008 / Nanowire Transistor Performance Limits and Applications / IEEE Trans. Electron Dev 55 (11) : 2859 ~ 2876

2. [학술지(정기간행물)] - C.M.Lieber / 2007 / Functional nanowires / MRS Bull 32 (2) : 99 ~ 108

3. [학술지(정기간행물)] - R. S. Friedman / 2005 / High-speed integrated nanowire circuits / Nature 434 : 1085 ~

4. [학술지(정기간행물)] - Y. Huang / 2001 / Logic gates and ... from assembled nanowire building blocks / Science,vol 294 : 1313 ~ 1317

5. [학술지(정기간행물)] - Z. Zhong / 2003 / Nanowire crossbar arrays as address decoders for integrated nanosystems / Science 302 : 1377 ~ 1379

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