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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.2
- 발행연도
- 2016.4
- 수록면
- 221 - 225 (5page)
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This paper reports a new method to enable the normally-off operation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors (HFETs). A capacitor was connected to the gate input node of a normally-on AlGaN/GaN HFET with a Schottky gate where the Schottky gate acted as a clamping diode. The combination of the capacitor and Schottky gate functioned as a clamp circuit to downshift the input signal to enable the normally-off operation. The normally-off operation with a virtual threshold voltage of 5.3 V was successfully demonstrated with excellent dynamic switching characteristics.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE FABRICATION
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
B.-R. Park, et al, “High-quality ICPCVD SiO2 for normally off AlGaN/GaN-on-Si recessed MOSHFETs,” IEEE Electron Device Lett., Vol. 34, No. 3, pp. 354-356, Mar. 2013.
J.-G. Lee, et al., “State-of-the-art AlGaN/GaN-on- Si heterostructure field effect transistors with dual field plates,” Appl. Phys. Exp., Vol. 5, No. 6, pp. 066502-066502-3, May. 2012.
F. Medjdoub, et al., “Low on-resistance highbreakdown normally off AlN/GaN/AlGaN DHFET on Si substrate.” IEEE Electron Device Lett., Vol. 31, No. 2, pp. 111-113, Feb. 2010.
W. Chen, et al, “High performance AlGaN/GaN lateral field-effect rectifiers compatible with high electron mobility transistors,” Appl. Phys. Lett., Vol. 92, No. 25, p. 253501, Jun. 2008.
Y. Uemoto, et al., “Gate injection transistor (GIT)- A normally-off AlGaN/GaN power transistor using conductivity modulation,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 54, No. 12, pp. 3393–3399, Dec. 2007.
J.-G. Lee, et al., “State-of-the-art AlGaN/GaN-on- Si heterostructure field effect transistors with dual field plates,” Appl. Phys. Exp., Vol. 5, No. 6, pp. 066502-066502-3, May. 2012.
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W. Chen, et al, “High performance AlGaN/GaN lateral field-effect rectifiers compatible with high electron mobility transistors,” Appl. Phys. Lett., Vol. 92, No. 25, p. 253501, Jun. 2008.
Y. Uemoto, et al., “Gate injection transistor (GIT)- A normally-off AlGaN/GaN power transistor using conductivity modulation,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 54, No. 12, pp. 3393–3399, Dec. 2007.
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