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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Yun Seop Yu (Hankyong National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.4
발행연도
2013.8
수록면
361 - 366 (6page)

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A full-range analytic drain current model for depletion-mode long-channel surrounding-gate nanowire field-effect transistor (SGNWFET) is proposed. The model is derived from the solution of the 1-D cylindrical Poisson equation which includes dopant and mobile charges, by using the Pao-S모 gradual channel approximation and the full-depletion approximation. The proposed model captures the phenomenon of the bulk conduction mechanism in all regions of device operation (subthreshold, linear, and saturation regions). It has been shown that the continuous model is in complete agreement with the numerical simulations.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. MODEL FORMATION
Ⅲ. MODEL VERIFICATIONS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-560-002404908