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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.2
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 101 - 105 (5page)
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Nanoscale floating-gate characteristic of colloidal Au nanoparticles electrostatically assembled on the oxidized surface of Si nanowires have been investigated. The Si nanowire split-gate transistor structure was fabricated by electron beam lithography and subsequent reactive ion etching. Colloidal Au nanoparticles with ~5 ㎚ diameters were selectively deposited onto the Si nanowire surface by 2 min electrophoresis. It was found that electric fields applied to the self-aligned split side gates allowed charge to be transferred on the Au nanoparticles. It was observed that the depletion mode cutoff voltage, induced by the self-aligned side gates, was shifted by more than 1 V after Au nanoparticle electrophoresis. This may be due to the semi-one dimensional nature of the narrow Si nanowire transport channel, having much enhanced sensitivity to charges on the surface.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE FABRICATION
Ⅲ. MEASUREMENT RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. SUMMARY
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
저자소개
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