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Ilho Myeong (Seoul National University) Dokyun Son (Seoul National University) Hyunsuk Kim (Seoul National University) Myounggon Kang (Korea National University of Transportation) Hyungcheol Shin (Seoul National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.5
발행연도
2017.10
수록면
685 - 690 (6page)
DOI
10.5573/JSTS.2017.17.5.685

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In this paper, the Self Heating Effect (SHE) is investigated in silicon on insulator (SOI) nanowire MOSFETs. A comprehensive study of SHE in Nanowire FET (NWFET) was implemented by Technology Computer-Aided Design (TCAD) simulation. Through analysis of on-current (I<SUB>on</SUB><SUB></SUB>), thermal resistance (R<SUB>TH</SUB>), and heat flux, the DC characteristics of SHE were investigated according to the increase of buried oxide thickness (Tbox). The results indicate that leakage current is not changed according to Tbox so that it is not necessary to increase T<SUB>box</SUB>. In conclusion, in case that T<SUB>box</SUB> was optimized by 1 nm, temperature and R<SUB>TH</SUB> were reduced by 152 K and 54.5% respectively. Also, I<SUB>on</SUB> was increased by 5.84% maintaining leakage current compared with Tbox of 20 nm.
#Self heating effect (SHE) #thermal resistance (RTH) #nanowire FET (NWFET) #heat flux

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. SIMULATION PROCESS
III. SIMULATION RESULTS
IV. DISCUSSION
V. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
K. H. Yeo, S. D. Suk, M. Li, Y. Yeoh, K. H. Cho, K. H. Hong, S. K. Yun, M. S. Lee, N. Cho, K. Lee, D. Hwang, B. Park, D. Kim, D. Park, and B. Ryu, “Gate-all-around (GAA) twin silicon nanowire MOSFET (TSNWFET) with 15 nm length gate and 4 nm radius nanowires,” in IEDM Tech. Dig., 2006, pp. 539?542. C. P. Auth and J. D. Plummer, “Scaling theory for cylindrical fullydepleted, surrounding gate MOSFETs,” IEEE Electron Device Lett., vol. 18, no. 2, pp. 74?76, Feb. 1997. B. Nouyasu, O. Shunri and U. Ken, “Experimental Study of Self-Heating Effect (SHE) in SOI MOSFETs: Accurate Understanding of Temperatures during AC Conductance Measurement, Proposals of 2ω Method and Modified Pulsed IV” IEDM, pp.641-644 (2012). R. Wang, J. Zhuge, R. Huang, D. W. Kim, Donggun Park, Y. Wang, “Investigation on Self- Heating Effect in Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs From Top-Down Approach” IEEE Electron Device Lett., VOL. 30, NO. 5, MAY 2009. T. Takahashi, N. Beppu, K. Chen, S. Oda, abd K. Uchida, “Self-Heating Effects and Analog Performance Optimization of Fin-Type Field-Effect Transistors” JJAP,52(2013).

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