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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.4
- 수록면
- 49 - 56 (8page)
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본 논문은 효율적인 회로 시뮬레이션을 위한 긴 채널 공핍 모드 n형 나노선 전계효과트랜지스터(nanowire field-effect transistor: NWFET)의 간단한 해석적 전류 전도 모델을 소개한다. 본 연구에서 사용된 NWFET는 bottom-up 방식으로 제작되었으며 게이트가 채널의 아래에 존재하는 구조를 가진다. 이 모델은 다양한 바이어스 조건에서 동작하는 NWFET의 모든 전류 전도 메카니즘을 포함한다. 새롭게 개발된 NWFET 모델로 계산된 결과는 이전에 발표된 NWFET 실험 데이터와 비교할때 10% 오차범위 안에서 서로 일치한다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 모델 검증
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (20)
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1. [학술지(정기간행물)] - Y. Li / 2006 / Nanowire electronic and optoelectronic devices / Materials Today 9 : 18 ~ 27
2. [학술지(정기간행물)] - A. Star / 2003 / Electronic detection of specific protein binding using nanotube FET devices / Nano Lett 3 : 459 ~ 463
3. [학술지(정기간행물)] - J. Xiang / 2006 / Ge/Si nanowire heterostructures as high-performance field-effect transistors / Nature 441 : 489 ~ 493
4. [학술지(정기간행물)] - S. Han / 2004 / Photoconduction studies on GaN nanowire transistors under UV and polarized UV illumination / Chem. Phys. Lett 389 : 176 ~ 180
5. [학술지(정기간행물)] - T. Bryllert / 2006 / Vertical wrap-gated nanowire transitors / Nanotechnology 17 : S227 ~ S230
2. [학술지(정기간행물)] - A. Star / 2003 / Electronic detection of specific protein binding using nanotube FET devices / Nano Lett 3 : 459 ~ 463
3. [학술지(정기간행물)] - J. Xiang / 2006 / Ge/Si nanowire heterostructures as high-performance field-effect transistors / Nature 441 : 489 ~ 493
4. [학술지(정기간행물)] - S. Han / 2004 / Photoconduction studies on GaN nanowire transistors under UV and polarized UV illumination / Chem. Phys. Lett 389 : 176 ~ 180
5. [학술지(정기간행물)] - T. Bryllert / 2006 / Vertical wrap-gated nanowire transitors / Nanotechnology 17 : S227 ~ S230
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