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자료유형
학술저널
저자정보
M. Karthigai Pandian (Pandian Saraswathi Yadav Engineering College) N.B. Balamurugan (Thiagarajar College of Engineering)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.9 No.6
발행연도
2014.11
수록면
2,079 - 2,088 (10page)

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In this paper, we propose new physically based threshold voltage models for short channel Surrounding Gate Silicon Nanowire Transistor with two different geometries. The model explores the impact of various device parameters like silicon film thickness, film height, film width, gate oxide thickness, and drain bias on the threshold voltage behavior of a cylindrical surrounding gate and rectangular surrounding gate nanowire MOSFET. Threshold voltage roll-off and DIBL characteristics of these devices are also studied. Proposed models are clearly validated by comparing the simulations with the TCAD simulation for a wide range of device geometries.
#Junction Based Cylindrical Surrounding Gate (JBCSG) silicon nanowire transistor #Rectangular surrounding gate silicon nanowire transistor #Threshold voltage #Parabolic approximation #silicon thickness #Channel Length #drain Bias

목차

Abstract
1. Introduction
2. Modeling of Cylindrical SG Nanowire MOSFET
3. Modeling of Rectangular SG Nanowire MOSFET
4. Results and Discussions
5. Conclusion
References

참고문헌 (28)

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1. [학술지(정기간행물)] - Yuting Wan / 2009 / Nanodevices based on Silicon Nanowires / Recent Patents on Nanotechnology 3 (1) : 1 ~ 9 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - D. Jimenez / 2004 / Modeling of Nanoscale GAA MOSFETs / IEEE Electron Device Lett. 25 (5) : 314 ~ 316 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - D. Jimenez / 2004 / Continuous Analytic I-V model for Surrounding Gate MOSFETs / IEEE Electron Device Lett. 25 (8) : 571 ~ 573 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - B. Iniguez / 2005 / Explicit Continuous model for Long Channel undoped Surrounding Gate MOSFETs / IEEE Transactions on Electron Devices 52 (8) : 1868 ~ 1873 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - B. Yu / 2007 / Analytic Charge Model for Surrounding Gate MOSFETs / IEEE Transactions on Electron Devices 54 (3) : 492 ~ 496 google schola

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