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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
성근식 (인하대학교) 원태영 (인하대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2010년 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
637 - 638 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

항복전압 향상을 위한 100V nLDMOS 소자 설계
성근식 ,  원태영 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
항복전압 향상을 위한 100V nLDMOS 소자 설계
성근식 ,  원태영 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

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In this paper, we propose a new High-Side nLDMOSFET whose breakdown voltage is over 100 V while meeting the thermal budget for the conventional 0.35㎛ BCD process. The proposed nLDMOSFET has a feature in that the structure comprises a gap of 5.0㎛ between the DEEP N-WELL and ... 전체 초록 보기

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