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문남칠 (동부하이텍) 전본근 (동부하이텍) 권경욱 (동부하이텍) 이창준 (동부하이텍) 김종민 (동부하이텍) 김남주 (동부하이텍) 유광동 (동부하이텍)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2010년 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
543 - 546 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

0.35um BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
문남칠 ,  전본근 ,  권경욱 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
문남칠 ,  전본근 ,  권경욱 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

초록· 키워드

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We have developed nLDMOS with over 800V BV based on 0.35㎛ technology using Double RESURF (REduced SURface Field) technology without extra layers & Epi wafer. This device is applied to power switch and level shifter for HVIC such as LED lighting, motor control IC, etc. Also, this paper presents the optimization condition for wide RESURF region regarding a robust breakdown voltage and low specific on-resistance

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌

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