엔지니어드 터널 베리어와 높은 일함수의 게이트 전극을 이용한 전하트랩형 메모리의 특성 향상

박군호 ,  조원주

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

SiO₂/Si₃N₄ 터널 절연막의 적층구조에 따른 비휘발성 메모리 소자의 특성 고찰

조원주

전기전자재료학회논문지

2009 .01

밴드 엔지니어링을 통해 터널링 전류의 온/오프 비율을 최대화하는 방법에 관한 연구

김건웅 ,  백승재

대한전자공학회 학술대회

2019 .11

서로 다른 게이트 물질에 의존하는 전하 트랩 플래시 메모리 소자의 프로그램/지우기 특성

이동화 ,  박세환 ,  이종호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2011 .06

비휘발성 메모리를 위한 SiOSi₃N₄와 Si₃N₄가 대칭적으로 적층된 터널링 절연막의 전기적 특성과 열처리를 통한 특성 개선효과

김민수 ,  정명호 ,  김관수 외 5명

전기전자재료학회논문지

2009 .01

Circuit-level macro modeling of charge-trap flash memory array

Seunghyun Kim ,  Do-Bin Kim ,  Sang-Ho Lee 외 6명

대한전자공학회 학술대회

2017 .01

Characterization of the Vertical Position of the Trapped Charge in Charge-trap Flash Memory

Seunghyun Kim ,  Dae Woong Kwon ,  Sang-Ho Lee 외 8명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2017 .04

차세대 비휘발성 메모리에 사용되는 High-k 절연막의 터널링 특성

오세만 ,  정명호 ,  박군호 외 4명

전기전자재료학회논문지

2009 .01

Charge Trap Flash Memory with Tunneling Field Effect Transistor for low power application

Myeongsun Kim ,  Il Hwan Cho

대한전자공학회 학술대회

2019 .06

터널링 소자 기반 전하 트랩 플래시 메모리 구조적 특성 분석

박경철 ,  황성민 ,  이정준 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2017 .06

Investigation of Endurance Degradation in a CTF NOR Array Using Charge Pumping Methods

Ho-Myoung An ,  김병철

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2016 .01

Tunnel Barrier Engineering for Non-Volatile Memory

Jongwan Jung ,  Won-Ju Cho

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .03

엔지니어드 ZrO₂/SiO₂의 터널 베리어와 HfO₂의 트랩 레이어를 가지는 메모리의 전기적 특성

유희욱 ,  박군호 ,  조원주

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

터널링 메커니즘을 이용한 메모리 소자 연구

이준하

반도체및디스플레이장비학회지

2006 .01

Enhanced Program/Erase Characteristic of Arch Shaped SONOS Flash Memory

Jung Hoon Lee ,  Il Han Pa ,  k 외 8명

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

2008 .06

Bandgap Engineering 도입하여 향상된 홀 터널링 특성을 구현한 SONOS 플래쉬 메모리 소자

이동화 ,  박일한 ,  윤장근 외 8명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

A Subthreshold Slope and Low-frequency Noise Characteristics in Charge Trap Flash Memories with Gate-All-Around and Planar Structure

Myoung-Sun Lee ,  Sung-Min Joe ,  Jang-Gn Yun 외 6명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2012 .09

엔지니어드 ZrO/SiO₂의 터널 베리어와 HfO₂의 트랩 레이어를 가지는 메모리의 전기적 특성

유희욱 ,  박군호 ,  조원주

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

SiO₂/HfO₂/Al₂O₃ 구조의 터널링 절연막을 가지는 차세대 비휘발성 메모리의 급속 열처리 효과

오세만 ,  김관수 ,  박군호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

능동형 방음벽 개발을 위한 방음벽 디자인 연구

차상곤 ,  김동환

전기학회논문지

2011 .12