엔지니어드 ZrO/SiO₂의 터널 베리어와 HfO₂의 트랩 레이어를 가지는 메모리의 전기적 특성

유희욱 ,  박군호 ,  조원주

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

SiO₂/HfO₂/Al₂O₃ 구조의 터널링 절연막을 가지는 차세대 비휘발성 메모리의 급속 열처리 효과

오세만 ,  김관수 ,  박군호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

SiO₂/HfO₂/Al₂O₃ 구조의 터널링 절연막을 가지는 차세대 비휘발성 메모리의 급속 열처리 효과

오세만 ,  김관수 ,  박군호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

차세대 비휘발성 메모리에 사용되는 High-k 절연막의 터널링 특성

오세만 ,  정명호 ,  박군호 외 4명

전기전자재료학회논문지

2009 .01

SiO₂/Si₃N₄ 터널 절연막의 적층구조에 따른 비휘발성 메모리 소자의 특성 고찰

조원주

전기전자재료학회논문지

2009 .01

Electrical Characteristics of Thin SiO₂ Layer

Nung-Pyo Hong ,  Jin-Woong Hong

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2003 .04

RF 스퍼터링을 이용한 SiO2 / Ta2O5 , SiO2 / ZrO2 박막의 무반사 특성 ( Anti-Reflection Characteristic of SiO2 / Ta205 , SiO2 / ZrO2 Film using the RF Sputter )

이풍엽 ,  임우택 ,  이진규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

Al₂O₃-HfO₂-Al₂O₃와 SiO₂-HfO₂-SiO₂ 샌드위치 구조 MIM 캐패시터의 DC, AC Stress에 따른 특성 분석

곽호영 ,  이희덕 ,  권혁민 외 6명

전기전자재료학회논문지

2011 .01

Si$O_{2}/{Si}_{0.7}{Ge}_{0.3}/SiO_{2}$계에서의 계면응집현상에 의한 양자점 형성에 관한 연구

윤태식 ,  권장연 ,  이동훈 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

Effects of Composition on the Memory Characteristics of (HfO2)x(Al2O3)1-x Based Charge Trap Nonvolatile Memory

Zhenjie Tang ,  Ma Dongwei ,  Zhang Jing 외 5명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2014 .01

Gate 산화막으로 $HfO_2$ 박막을 이용하여 제작한 NFET 특성 고찰

박재후 ,  조문주 ,  박홍배 외 4명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2003 .01

비휘발성 메모리를 위한 SiOSi₃N₄와 Si₃N₄가 대칭적으로 적층된 터널링 절연막의 전기적 특성과 열처리를 통한 특성 개선효과

김민수 ,  정명호 ,  김관수 외 5명

전기전자재료학회논문지

2009 .01

New HFO-Based Option(HFO기반의 다양한 냉매 옵션)

윤린

설비저널

2011 .04

ALD방법으로 성장된 HfO₂/Hf/Si 박막의 전기적 특성

이대갑 ,  도승우 ,  이재성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

엔지니어드 터널 베리어와 높은 일함수의 게이트 전극을 이용한 전하트랩형 메모리의 특성 향상

박군호 ,  조원주

대한전자공학회 학술대회

2009 .07