Tunnel Barrier Engineering for Non-Volatile Memory

Jongwan Jung; Won-Ju Cho

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자료유형: 학술저널

저자정보: Jongwan Jung Won-Ju Cho

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.1

발행연도: 2008.3

수록면: 32 - 39 (8page)

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Tunnel oxide of non-volatile memory (NVM) devices would be very difficult to downscale if ten-year data retention were still needed. This requirement limits further improvement of device performance in terms of programming speed and operating voltages. Consequently, for low-power applications with Fowler-Nordheim programming such as NAND, program and erase voltages are essentially sustained at unacceptably high levels. A promising solution for tunnel oxide scaling is tunnel barrier engineering (TBE), which uses multiple dielectric stacks to enhance field-sensitivity. This allows for shorter writing/erasing times and/or lower operating voltages than single SiO₂ tunnel oxide without altering the ten-year data retention constraint. In this paper, two approaches for tunnel barrier engineering are compared: the crested barrier and variable oxide thickness. Key results of TBE and its applications for NVM are also addressed.

#Non-volatile memory #tunnel barrier engineering #tunnel oxide #retention #VARIOT

참고문헌 (21)

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1. [학술대회논문] - S. Lai / 1998 / Tunnel oxide and ETOXTM flash scaling limitation / 1998 Int'l Non-Volatile Memory Technology Conference : 6 ~ 7

2. [단행본] - K. Naruke (et al.) / 1988 / Stress induced leakage current limiting to scale down EEPROM tunnel oxide thickness / IEDM Tech. Dig., : 424 ~ 427

3. [단행본] - Austin, TX / 2003 / Front end processes, in International Technology Roadmap for Semiconductors 2003 Edition / Semiconductor Industry Assoc.

4. [학술지(정기간행물)] - K. K. Lihkarev / 1998 / Layered tunnel barriers for nonvolatile memory devices / Appl. Phys. Lett 73 (15) : 2137 ~ 2139

5. [학술지(정기간행물)] - B. Govoreanu / 2003 / VARIOT: a novel multilayer tunnel barrier concept for low-voltage nonvolatile memory devices / IEEE Electron Device Lett 24 (2) : 99 ~ 101

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