차세대 비휘발성 메모리에 사용되는 High-k 절연막의 터널링 특성

오세만; 정명호; 박군호; 김관수; 정홍배; 이영희; 조원주

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오세만 정명호 박군호 김관수 정홍배 이영희 조원주

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제6호

발행연도: 2009.1

수록면: 466 - 469 (4page)

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2009

SiO₂/HfO₂/Al₂O₃ 구조의 터널링 절연막을 가지는 차세대 비휘발성 메모리의 급속 열처리 효과

오세만 , 김관수 , 박군호 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2009.07 학술대회자료

SiO₂/HfO₂/Al₂O₃ 구조의 터널링 절연막을 가지는 차세대 비휘발성 메모리의 급속 열처리 효과

오세만 , 김관수 , 박군호 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2009.07 학술대회자료

차세대 비휘발성 메모리에 사용되는 High-k 절연막의 터널링 특성

오세만 , 정명호 , 박군호 외 4명 전기전자재료학회논문지 2009.01 학술저널

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The metal-insulator-silicon (MIS) capacitors with SiO2 and high-k dielectrics (HfO2, Al2O3) were fabricated, and the current-voltage characteristics were investigated. Especially, an effective barrier height between metal gate and dielectric was extracted by using Fowler-Nordheim (FN) plot and Direct Tunneling (DT) plot of quantum mechanical(QM) modeling. The calculated barrier heights of thermal SiO2, ALD SiO2, HfO2 and Al2O3 are 3.35 eV, 0.6 eV, 1.75 eV, and 2.65 eV, respectively. Therefore, the performance of non-volatile memory devices can be improved by using engineered tunnel barrier which is considered effective barrier height of high-k materials.

#Non-volatile memory #Effective barrier height #High-k

참고문헌 (9)

참고문헌 신청

B. Govoreanu / 2003 / VARIOT:a novel multilayer tunnel barrier concept for low-voltage nonvolatile memory devices / IEEE Electron Device Lett. 24 : 99 ~

D.A. Neamen / 2003 / Semiconductor physics and devices: Basic principles, 3rd ed / McGraw- Hill : 713 ~

J. Buckley / 2005 / Investigation of SiO2/HfO2 gate stacks for application to non-volatile memory devices / Solid-State Electron 49 : 1833 ~

J. J. Lee / 2003 / Theoretical and experimental investigation of Si nanocrystal memory device with HfO2 high-k tunneling dielectric / IEEE Trans. Electron Devices 50 : 2067 ~

K. K. Likharev / 1998 / Layered tunnel barriers for nonvolatile memory devices / Appl. Phys. Lett. 73 : 2137 ~

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