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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 17 - 21 (5page)
이용수
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The electrical characteristics of band-gap engineered tunneling barriers consisting of thin SiO₂ and Si₃N₄ dielectric layers were investigated for nonvolatile memory device applications. The band structure of band-gap engineered tunneling barriers was studied and the effectiveness of these tunneling barriers was compared with the conventional tunneling SiO₂ barrier. The band-gap engineered tunneling barriers composed of thin SiO₂ and Si₃N₄ layers showed a lower operation voltage, faster speed and longer retention time than the conventional SiO₂ tunnel barrier. The thickness of each SiO₂ and Si₃N₄ layer was optimized to improve the performance of non-volatile memory.
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/ / Internatioanl Technolgy Roadmap for Semiconductors, 2007 Edition
B. Govoreanu / 2003 / VARIOT: A novel multilayer tunnel barrier concept for low-voltage nonvolatile memory devices / IEEE Electron Devices Lett. 24 (2) : 99 ~
E. M. Vogel / 1998 / Modeled tunnel currents for high dielectric constant dielectrics / IEEE Trans.Electron Devices 45 (6) : 1350 ~
G. Atwood / 2004 / Future directions and challenges of ETox flash memoryscaling / IEEE Trans. Device Mater. Rel. 4 (3) : 301 ~
G. D. Wilk / 2001 / High-k gate dielectrics: Current status and materials properties considerations / J. Appl. Phys. 89 (10) : 5243 ~
B. Govoreanu / 2003 / VARIOT: A novel multilayer tunnel barrier concept for low-voltage nonvolatile memory devices / IEEE Electron Devices Lett. 24 (2) : 99 ~
E. M. Vogel / 1998 / Modeled tunnel currents for high dielectric constant dielectrics / IEEE Trans.Electron Devices 45 (6) : 1350 ~
G. Atwood / 2004 / Future directions and challenges of ETox flash memoryscaling / IEEE Trans. Device Mater. Rel. 4 (3) : 301 ~
G. D. Wilk / 2001 / High-k gate dielectrics: Current status and materials properties considerations / J. Appl. Phys. 89 (10) : 5243 ~
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