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이용수
Abstract
1. 서론
2. MCS - BEq법
3. 전자 충돌 단면적
4. 결과 및 고찰
5. 결론
[참고문헌]
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2004 .06
SiH₄+Ar가스의 전자평균에너지 및 전자에너지분포함수 해석
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1999 .07
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2000 .07
TOF법을 이용한 SiH₄ 프라즈마중의 전자군파라미터특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
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대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
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1988 .05
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2006 .06
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대한전기학회 학술대회 논문집
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한국표면공학회지
1990 .09
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전기학회논문지
1986 .05
SiH4/H2 혼합기체를 multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .07
MCS-BEq 알고리즘에 의한 SiH₄ 기체의 전자수송특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .10
지하수 조사에서 환경추적자로서의 $SF_6$의 적용
한국지하수토양환경학회 학술발표회
2003 .01
SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1993 .02
SiH₄ 기체의 전자이동속도와 전자 에너지 분포함수
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .11
특수가스(SiH₄/NF₃/N₂)의 가연성도표 활용
한국가스학회 학술대회논문집
2014 .11
텅스텐 플러그 CVD 공정에서 SiH4 Soak의 영향
전기전자재료학회논문지
2003 .01
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