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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제1호
발행연도
2003.1
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The SiH4 soak step is widely used to prevent the WF6 attack to the underlayer metal using the chemical vapor deposition (CVD) method. Reduction or skipping of the SiH4 soak process time is lead to optimizing W-plug deposition process on via. The electrical characteristics including via resistance and the structure of W-film are affected by the time of SiH4 soak process. The possibility of elimination of SiH4 soak process is confirmed in the case of W-film grown on the stable Ti/TiN underlayer.
#SiH4 soak #Tungsten #W) plug #Chemical vapor deposition #Ti/TiN barrier metal #WF6 attack #Via contact resistance

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