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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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이중 Gate를 갖는 Trench Emitter IGBT의 특성
전기학회논문지 C
2000 .09
트렌치 게이트 IGBT 에서의 공정 및 설계 파라미터에 따른 항복 전압 특성에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2007 .01
Trench Gate를 이용한 Field Stop IGBT의 전기적 특성 분석에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2012 .01
1,200 V급 Trench Gate Field Stop IGBT 소자의 전기적 특성 향상 방안에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2012 .01
Performance of Non Punch-Through Trench Gate Field-Stop IGBT for Power Control System and Automotive Application
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2016 .01
The Effect of a Shielding Layer on Breakdown Voltage in a Trench Gate IGBT
ICPE(ISPE)논문집
2007 .10
고내압 IGBT의 전기적 특성 향상에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2012 .01
다양한 게이트 구조에 따른 IGBT 소자의 전기적 특성 비교 분석 연구
전기전자재료학회논문지
2016 .01
산업용 인버터 구동을 위한 고효율 고내압 Field-stop IGBT 최적화 설계에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2013 .01
전기자동차용 이중 게이트 구조를 갖는 전력 IGBT소자의 전기적인 특성 분석
전기전자학회논문지
2017 .03
The Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with a Trench Injector
전기학회논문지
1993 .12
PIN 다이오드 - PNP 트랜지스터 결합모델에 의한 1,700 V급 NPT 트랜치 IGBT의 해석에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2008 .01
트랜치 에미터 전극을 이용한 수직형 NPT 트랜치 게이트 IGBT의전기적 특성 향상 연구
전기전자재료학회논문지
2006 .01
1,200 V급 Trench Si IGBT의 설계 및 전기적인 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2020 .01
낮은 온-저항 특성을 갖는 2500V급 IGBTs
대한전자공학회 학술대회
2008 .06
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 개발 동향
전력전자학회지
2017 .02
Trench Gate 하단 P-영역을 갖는 IGBT의 전기적 특성에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2019 .01
습식 산화를 이용한 원형 트렌치 게이트 IGBT에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2008 .01
Design and Process Development in High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs)
전자공학회지
2008 .07
600 V급 IGBT Single N+ Emitter Trench Gate 구조에 따른 전기적 특성
전기전자재료학회논문지
2019 .01
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