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In this paper we introduced the shielding layer concept in order to alleviate the electric field of concentrated on the trench bottom corner. The shielded trench gate IGBT is a trench gate IGBT with a P+ Shielding layer bottom of a trench gate. By simulation results, we verified that a shielding layer reduced the electric fields not only in the gate oxide but in the p-base region. Compared with conventional trench gate IGBT, about 33% increment of forward breakdown voltages are achieved.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND PROCESS
Ⅲ. BREAKDOWN CHARACTERISTIC CONSIDERATIONS
Ⅳ. DEVICE SIMULATION RESULTS
Ⅴ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGEMENT
REFERENCES
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