습식 산화를 이용한 원형 트렌치 게이트 IGBT에 관한 연구

곽상현; 경신수; 성만영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 곽상현 경신수 성만영

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제11호

발행연도: 2008.1

수록면: 981 - 986 (6page)

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The conventional IGBT has two problems to make the device taking high performance. The one is high on state voltage drop associated with JFET region, the other is low breakdown voltage associated with concentrating the electric field on the junction of between p base and n drift. This paper is about the structure to effectively improve both the lower on state voltage drop and the higher breakdown voltage than the conventional IGBT. For the fabrication of the circular trench IGBT with the circular trench layer, it is necessary to perform the only one wet oxidation step for the circular trench layer. Analysis on both the on state voltage drop and the breakdown voltage show the improved values compared to the conventional IGBT structure. Because the circular trench layer disperses electric field from the junction of between p base and n drift to circular trench, the breakdown voltage increase. The on state voltage drop decrease due to reduction of JFET region and direction changed of current path which pass through reversed layer channel. The electrical characteristics were studied by MEDICI simulation results.

#Circular trench #Wet oxidation #Breakdown voltage #On state voltage drop

참고문헌 (7)

참고문헌 신청

B. Jayant Baliga / 1996 / Power Semiconductor Devices / PWS : 426 ~

E.G. Kang / 2002 / A small sized lateral trench electrode IGBT for improving latch-up and breakdown characteristics / Solid State Electronics 46 : 295 ~

J.S. Lee / 2007 / “The Effect of a Shielding Layer on Breakdown Voltage in Trench gate IGBT”, ICPE07, p. 62, 2007

M. Nemoto / 1999 / The Recessed-gate IGBT Structure / ISPSD : 149 ~

S.S. Kyoung / 2008 / "A Study on 1700 V Trench Insulated Gate Bipolar Transistor(TIGBT)'s Electrical Characteristics using Trench Ion Implantation", ITC-TSCC2008, p. 1665, 2008

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