Dry Etching Characteristics of TiN Thin Films in BCl_(3-) Based Plasma

Jong-Chang Woo; Jung-Soo Park; 김창일

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자료유형: 학술저널

저자정보: Jong-Chang Woo Jung-Soo Park 김창일

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제3호

발행연도: 2011.1

수록면: 106 - 109 (4page)

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We investigated the etching characteristics of titanium nitride (TiN) thin film in BCl3/Ar inductively coupled plasma. The etching parameters were the gas mixing ratio, radio frequency (RF) power, direct current (DC)-bias voltages and process pressures. The standard conditions were as follows: total flow rate = 20 sccm, RF power = 500 W, DCbias voltage = -100 V, substrate temperature = 40℃, and process pressure = 15 mTorr. The maximum etch rate of TiN thin film and the selectivity of TiN to Al_2O_3 thin film were 54 nm/min and 0.79. The results of X-ray photoelectron spectroscopy showed no accumulation of etch byproducts from the etched surface of TiN thin film. The TiN film etch was dominated by the chemical etching with assistance by Ar sputtering in reactive ion etching mechanism, based on the experimental results.

#Titanium nitride #BCl_3/Ar #Inductively coupled plasma #Etch #X-ray photoelectron spectroscopy

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