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논문 기본 정보

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저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 C 전기학회논문지 제55C권 제12호
발행연도
2006.12
수록면
601 - 605 (5page)

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The resistance-capacitance (RC) delay of signals through interconnection materials becomes a big hurdle for high speed operation of semiconductors which contain multi-layer interconnections in smaller scales with higher integration density. Low-k materials are applied to the inter-metal dielectric (IMD) materials in order to overcome the RC delay. Relaxation continuum (RCT) model that includes neutral-species transport model have developed to model the etching process in a capacitively coupled plasma (CCP) device. We present the parametric study of the modeling results of a two-frequency capacitively coupled plasma (2f-CCP) with N₂/H₂ gas mixture that is known as promising one for organic low-k materials etching. For the etching of low-k materials by N₂/H₂ plasma, N and H atoms have a big influence on the materials. Moreover the distributions of excited neutral species influence the plasma density and profile. We include the neutral transport model as well as plasma one in the calculation. The plasma and neutrals are calculated self-consistently by iterating the simulation of both species till a spatio-temporal steady state profile could be obtained.
#Capacitively #Plasma

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - San Jose / 1991 / The International Technology Roadmap for Semiconductors google schola 2. [학술지(정기간행물)] - G. S. Oehrlein / 2003 / Low Dielectric Materials for IC Applications google schola 3. [학술지(정기간행물)] - T. Makabe / 2002 / in Advences in Low Temperature RF plasmas google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / Association of Super-Advanced Electronics Technologies google schola 5. [학술지(정기간행물)] - T. E. F. M. Standaert, / 2001 / Vac. Sci. Technol. A19, 435 : 435 ~ google schola

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