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이용수
Abstract
1. 서론
2. 실험장치
3. 결과 및 논의
4. 결론
참고문헌
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ECR 플라즈마에 의해 형성된 실리콘 질화막의 전기적 특성 ( Electrical Properties of Silicon Nitride Thin Films Formed by ECR Plasma )
전자공학회논문지-A
1992 .10
ECR 플라즈마 질화에 의해 형성된 실리콘 질화막의 전기적 특성 ( Electrical Properties of Silicon Nitride Formed by ECR Plasma Nitridation )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
ECR plasma를 이용한 실리콘 산화 박막 성장 및 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
ECR 플라즈마 방법에 의한 SiO2 박막 제조에 관한 연구 ( A Study on the Fabrication of SiO2 Films by ECR Plasma Method )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
ECR 플라즈마 방법에 SiO₂ 박막 제조에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
ECR 플라즈마를 이용한 Cu 박막의 건식 식각특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
ECR 플라즈마 CVD 방법을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막의 증착과 광학적 특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .06
이온 분석기에 의한 ECR플라즈마의 특성 분석 및 실리콘 식각에 관한 연구
전기학회논문지
1992 .05
ECR CVD를 이용한 비정질 실리콘 박막의 증착 조건과 광학적 특성
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
ECR CVD를 이용한 비정질 실리콘 박막의 증착 조건과 광학적 특성 ( The Deposition Condition and Optical Characteristics of A-Si : H Films Deposited By ECR CVD )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
ECR 산소 플라즈마를 이용한 저온 열산화 ( Low Temperature Thermal Oxidation using ECR Oxygen Plasma )
전자공학회논문지-A
1995 .03
ECR PECVD에 의한 상온 실리콘 질화막 형성 및 박막 트랜지스터에의 응용 ( Room Temperature Fabrication of Silicon Nitride Films by ECR PECVD and its Application to Thin Film Transistors )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
ECR 상온증착법에 의한 구리 금속막 코팅
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
전자회전공명 플라즈마를 이용한 a-C:H 박막의 특성 연구
한국산업정보학회 학술대회논문집
2001 .05
ECR 플라즈마를 이용한 반도체 공정기술
[ETRI] 전자통신동향분석
1988 .06
상온에서 ECR PECVD에 의해 형성된 실리콘 산화질화막의 전기적 특성
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
ECR Plasma를 이용한 GaAs ( 100 ) 기판 표면의 질화반응에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
이온에너지분석에 의한 ECR 플라즈마의 특성및 식각특성 연구
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
이온에너지분석에 의한 Ecr 플라즈마의 특성 및 식각특성 연구 ( A Study on the Properties of Ecr Plasma and Its Etching Characteristics by Ion Energy Analysis )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
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