ALD 공정에서 반도체 웨이퍼로의 질화규소 증착

송근수; 유경훈; 조병하

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 송근수 유경훈 (한국생산기술연구원) 조병하 (무한)

저널정보: 대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2008년도 마이크로/나노공학부문 춘계학술대회 강연 및 논문집

발행연도: 2008.5

수록면: 132 - 135 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2008

ALD 공정에서 반도체 웨이퍼로의 질화규소 증착

송근수 , 유경훈 , 조병하 대한기계학회 춘추학술대회 2008.05 학술대회자료

2007

반도체 ALD 공정에서의 질화규소 증착 수치해석

송근수 , 유경훈 대한기계학회 춘추학술대회 2007.05 학술대회자료

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Numerical analysis and experiment was conducted to investigate the atomic layer deposition(ALD) of silicon nitride using silicon tetrachloride and ammonia as precursors. The present study simulated the surface reactions for as-deposited Si₃N₄ as well as the kinetics for the reactions of SiCl₄ and NH₃ on the semiconductor wafer. The present study results showed that the ALD process is dependent on the activation constant. It was also shown that the low activation constant leads to the self-limiting reaction required for the ALD process. The comparison of the present numerical results with the present experimental results showed relatively good agreement between them. The inlet and wafer temperatures were 473 K and 823 K, respectively. The system pressure is 2 Torr.

#Atomic Layer Deposition(원자층 증착) #Silicon Nitride(질화 규소) #Silicon Tetrachloride(사염화 규소) #Semiconductor Wafer(반도체 웨이퍼)

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