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이용수
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND FABRICATION
Ⅲ. EXPERIMENTAL RESULTS
Ⅳ. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES
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CVD 다이아몬드 기판에 형성된 AlGaN/GaN 이종 구조위의 쇼키 다이오드의 열 특성
대한전자공학회 학술대회
2018 .06
이중 케이트 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터의 누설 전류 메커니즘과 SiO₂ 패시베이션 효과 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .10
산화니켈 패시베이션을 적용한 고전압 AlGaN/GaN HEMT
대한전기학회 학술대회 논문집
2010 .07
차세대 전력 스위치용 1.5 ㎸급 GaN 쇼트키 장벽 다이오드
전기학회논문지
2012 .11
Contact Resistance and Leakage Current of GaN Devices with Annealed Ti/Al/Mo/Au Ohmic Contacts
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .04
Cr/n-AlGaN/GaN Schottky Contact에서 높은 쇼트키 장벽 형성 메카니즘에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2011 .01
몰리브데넘 기반의 오믹 저항을 이용한 AlGaN/GaN 쇼키 다이오드 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
전기전자재료학회논문지
2009 .01
Si 기판 위 제작된 1.5 kV급 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .05
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF GaN USING a REMOTE PLASMA ENHANCEMENT
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
Synthesis of Carbon Nanotubes by Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperature
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2007 .01
Improved Stability of AlGaN/GaN Heterojunction Schottky-diode-type Hydrogen Sensor Using Constant Current Source Operation
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .10
고전압 응용분야를 위한 GaN 쇼트키 다이오드의 산화 공정
전기학회논문지
2011 .12
Diode Embedded AlGaN/GaN Heterojuction Field-Effect Transistor
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .04
GaN 소자의 Schottky 특성 향상에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1999 .11
CF₄ Plasma Treatment를 이용한 고전압 GaN 쇼트키 배리어 다이오드의 개발
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
Al 필드 플레이트와 ICP-CVD SiO₂ Passivation을 이용한 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .11
수증기 어닐링을 통한 고전압 AlGaN/GaN HEMTs
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .07
항복전압 향상을 위해 As+ 이온을 주입한 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .07
Progress in Novel Oxides for Gate Dielectrics and Surface Passivation of GaN/AlGaN Heterostructure Field Effect Transistors
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2003 .03
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