GaN를 이용한 Schottky diode형 자외선 수광소자의 제작 ( Fabrication of a Schottky Type Ultraviolet Photodetector Using GaN Layer )

성익중 ,  이석헌 ,  이채향 외 3명

전자공학회논문지-D

1999 .06

Electrochemical Metallization방법을 이용한 GaN Schottky Diode의 제작과 전기적 특성 향상 및 분석

이철호 ,  Dejun Fu ,  이명재 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

차세대 전력 스위치용 1.5 ㎸급 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우

전기학회논문지

2012 .11

고전압 응용분야를 위한 GaN 쇼트키 다이오드의 산화 공정

하민우 ,  한민구 ,  한철구

전기학회논문지

2011 .12

이상적 GaN Schottkv 다이오드의 순방향 I-V 특성연구

정삼원 ,  신무환

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

광 주파수 측정용 Schottky 다이오드의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of Schottky Diode at Laser Frequency )

김종수 ,  원종욱

대한전자공학회 학술대회

1987 .01

Pt/4H-SiC Schottky Barrier Diodes의 특성에서 Schottky 접합의 열처리 효과

강수창 ,  금병훈 ,  도석주 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

트렌치 구조를 이용한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

최영환 ,  하민우 ,  이승철 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .07

TiO₂와 GaN를 이용한 Schottky diode의 제작 및 특성평가

유경호 ,  강광선 ,  김재환

대한기계학회 춘추학술대회

2009 .11

GaN 쇼키 장벽 다이오드 (SBD) 어레이 구조의 전력소자로서의 특성 연구

장우영 ,  고상춘 ,  박영락 외 7명

대한전기학회 학술대회 논문집

2013 .04

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

GaN 쇼키 다이오드의 액티브 구조 위의 본딩패드 기법을 이용한 어레이 소자 연구

장우영 ,  고상춘 ,  박영락 외 10명

대한전기학회 학술대회 논문집

2013 .07

GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구

강이구 ,  강호철 ,  이정훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

차세대 고효율 IT부품용 GaN 전력소자 기술

문재경 ,  이형석 ,  장우진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2017 .06

열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우 ,  노정현 ,  최홍구 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2011 .07

에피구조(GaN-on-Si and GaN-on-s.i.SiC)에 따른 GaN 전력반도체 MISHEMT 소자의 전기적 특성

문재경 ,  장우진 ,  배성범 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2016 .06

Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE

H. D. Cho ,  G. S. Eom ,  C. B. Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GaN 분말의 승화에 의한 Bulk GaN 성장

박기연 ,  김민호 ,  송용선 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Advanced GaN Power Devices and Applications

Simon Li

ICPE(ISPE)논문집

2019 .05

Cascode-GaN과 p-GaN의 동작 특성 및 설계 요소 분석

박상민 ,  주동명 ,  김민중 외 1명

전력전자학회 학술대회 논문집

2015 .11