지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.5
- 발행연도
- 2020.10
- 수록면
- 430 - 435 (6page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.5.430
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
An AlGaN/GaN heterojunction Schottky-diode-type hydrogen sensor was fabricated with Pd catalyst and exhibited excellent response characteristics. The sensor was operated in two different modes: constant voltage and constant current bias modes. Since the diode current has an exponential relationship with its forward voltage, any small fluctuations or drift in the bias voltage results in large variations in the output current. Using a constant current bias mode of operation thus allowed more stable sensing characteristics for the Schottky-diode-type hydrogen sensor.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
Debabrata Das, “Advances in biohydrogen production process: An approach towards commercialization”, International Journal of Hydrogen Energy, Vol. 34, No. 17, pp. 7349-7357, Sep., 2009.
Meyer Steinberg, Hsing C. Cheng, “Modern and prospective technologies for hydrogen production from fossil fuels”, International Journal of Hydrogen Energy, Vol. 14, No. 11, pp. 797-820, Aug., 1989.
G. Chung, H.-Y. Cha and H. Kim, “Enhanced hydrogen sensitivity of AlGaN/GaN heterojunction gas sensors by GaN-cap layer”, Electronics Letters, Vol. 54, No. 14, pp. 896-897, Jul., 2018.
A.A. Burk Jr., M.J. O’Loughlin, R.R. Siergiej, A.K. Agarwal, S. Sriram, R.C. Clarke, M.R. MacMillan, V. Balakrishna, C.D. Brandt, “SiC and GaN wide bandgap semiconductor materials and devices”, Solids-State Electronics, Vol. 43, No. 8, pp.1459- 1464, Aug., 1999.
Jr-Tai Chen, Daniel Nilsson, Chih-Wei Hsu, Justinas Palisaitis, Urban Forsberg, Per O.A. Persson, and Erik Janzen, “Room-temperature mobility above 2200 cm2/V.s of two-dimensional electron gas in a sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure”, Applied Physics Letters, Vol. 106, No. 25, pp. 251601, Jun., 2015.
Meyer Steinberg, Hsing C. Cheng, “Modern and prospective technologies for hydrogen production from fossil fuels”, International Journal of Hydrogen Energy, Vol. 14, No. 11, pp. 797-820, Aug., 1989.
G. Chung, H.-Y. Cha and H. Kim, “Enhanced hydrogen sensitivity of AlGaN/GaN heterojunction gas sensors by GaN-cap layer”, Electronics Letters, Vol. 54, No. 14, pp. 896-897, Jul., 2018.
A.A. Burk Jr., M.J. O’Loughlin, R.R. Siergiej, A.K. Agarwal, S. Sriram, R.C. Clarke, M.R. MacMillan, V. Balakrishna, C.D. Brandt, “SiC and GaN wide bandgap semiconductor materials and devices”, Solids-State Electronics, Vol. 43, No. 8, pp.1459- 1464, Aug., 1999.
Jr-Tai Chen, Daniel Nilsson, Chih-Wei Hsu, Justinas Palisaitis, Urban Forsberg, Per O.A. Persson, and Erik Janzen, “Room-temperature mobility above 2200 cm2/V.s of two-dimensional electron gas in a sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure”, Applied Physics Letters, Vol. 106, No. 25, pp. 251601, Jun., 2015.
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Normally-Off Operation of AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistor with Clamping Diode
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .04
-
Diode Embedded AlGaN/GaN Heterojuction Field-Effect Transistor
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .04
-
CVD 다이아몬드 기판에 형성된 AlGaN/GaN 이종 구조위의 쇼키 다이오드의 열 특성
대한전자공학회 학술대회
2018 .06
-
A Review on Reverse-Bias Leakage Current Transport Mechanisms in Metal/GaN Schottky Diodes
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2024 .04
-
AlGaN 장벽층을 갖는 에피구조를 이용한 고반응도 수소 센서
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
AlGaN/GaN-on-Si 이종접합 기반의 고감도 수소센서
KEPCO Journal on electric power and energy
2019 .01
-
몰리브데넘 기반의 오믹 저항을 이용한 AlGaN/GaN 쇼키 다이오드 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
이종접합 쇼트키 다이오드의 임피던스 특성을 이용한 가스센서에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
-
AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터에 기반한 ZnO-NPs/Pd 이중 층 기능화 수소 가스 센서
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
High Performance NO₂ Gas Sensor Based on Pd-AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Thin AlGaN Barrier
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .04
-
Au-free 공정을 사용한 문턱전압 3.5 V의 P-GaN 게이트 기반 증강형 AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
-
P-GaN Gated AlGaN/GaN E-mode HFET Fabricated with Selective GaN Etching Process
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .12
-
Design of a 94-㎓ Single Balanced Mixer Using Planar Schottky Diodes with a Nano-Dot Structure on a GaAs Substrate
Journal of information and communication convergence engineering
2016 .03
-
P-GaN/AlGaN/GaN 이종접합 파워 FET 기술
대한전자공학회 학술대회
2021 .06
-
GaN 마이크로 LED 구동을 위한 모놀리식 스위치 집적화 공정
조명·전기설비학회논문지
2024 .08
-
5-MeV Proton-irradiation characteristics of AlGaN/GaN – on-Si HEMTs with various Schottky metal gates
전기전자학회논문지
2018 .06
-
Contact Resistance and Leakage Current of GaN Devices with Annealed Ti/Al/Mo/Au Ohmic Contacts
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .04
-
프로톤 조사에 따른 실리콘 다이오드에서의 쇼트키 장벽 높이 추정: GaN 쇼트키 다이오드의 조사 데이터 사용
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
-
저전계 이동도 모델을 이용한 P형 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드의 순방향 전류-전압 특성
전기학회논문지
2019 .02
-
p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET 제작을 위한 선택적 GaN 식각 공정 개발
한국정보통신학회논문지
2020 .02
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0