광조형법을 이용한 고분자 리소그래피에 관한 연구

정영대; 이현섭; 손재혁; 조인호; 정해도

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정영대 이현섭 손재혁 조인호 정해도

저널정보: Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 제22권 제1호

발행연도: 2005.1

수록면: 199 - 206 (8page)

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Mask manufacturing is a high COC and COO process in developing of semiconductor devices because of mask production tool with high resolution. Direct writing has been thought to be the one of the patterning method to cope with development or small-lot production of the device. This study consists two categories. One is the additional process of the direct and maskless patterning generation using SLA for easy and convenient application and the other is a removal process using wet-etching process.
In this study, cured status of epoxy pattern is most important parameter because of the beer-lambert law according to the diffusion of UV light. In order to improve the contact force between patterns and substrate, prime process was performed and to remove the semi-cured resin which makes a bad effects to the pattern, spin cleaning process using TPM was also performed. At a removal process, contact force between photo-curable resin as an etching mask and Si wafer is important parameter.

#Maskless patterning(마스크리스 패턴) #Stereolithography(광조형, SLA) #Photoresist(감광성 레지스트) #Spin Coater(스핀 코터) #etching mask(에칭마스크) #prime process(프라임공정) #semi-cured resin(반경화수지) #strip(스트립)

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