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논문 기본 정보

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저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 제21권 제5호
발행연도
2004.5
수록면
24 - 31 (8page)

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Masking effect of the nanoscratched silicon (100) surface was studied and applied to a maskless nanofabrication technique. First, the surface of the silicon (100) was machined by ductile-regime nanomachining process using the scratch option of the Nanoindenter ® XP. To clarify the possibility of the nanoscratched silicon surfaces for the application to wet etching mask, the etching characteristic with a KOH solution was evaluated at room temperature. After the etching process, the convex nanostructures were made due to the masking effect of the mechanically affected layer. Moreover, the height and the width of convex structures were controlled with varying normal loads during nanoscratch.
#Nanoscratch(나노스크래치) #Masking Effect(식각 마스크 효과) #Mechanically affected layer(가공변질층) #Anisotropic etching(이방성 식각)

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 가공방법 및 장치
3. 결과 및 토론
4. 결론
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