AFM 기반 액중 Tribo nanolithography 에서의 마스크 층 내식각성에 관한 연구

박정우; 이득우

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 박정우 이득우

저널정보: Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 한국정밀공학회 2005년도 추계학술대회 논문요약집

발행연도: 2005.10

수록면: 281 - 284 (4page)

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Etch resistance of mask layer on silicon substrate modified by AFM-based Tribo-Nanolithography (TNL) in Aqueous Solution in an aqueous solution was demonstrated. TNL consists of sequential processes, nano-scratching and wet chemical etching. The simple scratching can form a mask layer on the silicon substrate, which acting as an etching mask. For TNL, a specially designed cantilever with diamond tip, allowing the formation of mask layer on silicon substrate easily by a simple scratching process, has been applied instead of conventional silicon cantilever for scanning. This study demonstrates how the TNL parameters can affect the etch resistance of mask layer, hence introducing a new process of AFM-based maskless nanolithography in aqueous solution.

#TNL(Tribo nanolithography) #Nano machining(나노가공) #Etch resistance(내식각성) #Mask Layer(마스크층) #AFM(원자간력현미경) #Maskless lithography(마스크리스리소그래피)

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