개인구독
소속 기관이 없으신 경우, 개인 정기구독을 하시면 저렴하게
논문을 무제한 열람 이용할 수 있어요.
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering International Journal of Precision Engineering and Manufacturing International Journal of Precision Engineering and Manufacturing Vol.7 No.4
- 발행연도
- 2006.10
- 수록면
- 14 - 17 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
A thin GaN semiconducting film that grows on sapphires due to metalorganic chemical vapor deposition was machined for nanophotonic applications. The thin film had multilayered superlattice structures, including nanoscaled InGaN layers. Eight alternating InGaN/GaN multilayers provided a blue light emission source. Nanoscaled holes, 150 ㎚ in diameter, were patterned on polymethylmethacrylate (PMMA) film using an electron beam lithography system. The PMMA film blocked the etching species. Air holes, 75 ㎚ in diameter, which acted as blue light diffraction sources, were etched on the top GaN layer by an inductively coupled plasma etcher. Hexagonal lattice photonic crystals were fabricated with 230-, 460-, 690-, and 920-㎚ pitches. The 450-㎚ wavelength blue light provided the nanodiffraction destructive and constructive interferences phenomena, which were dependent on the pitch of the holes.
목차
1. Introduction
2. Photonic Crystals
3. Conclusions
ACKNOWLEDGEMENT
REFERENCES
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
유도결합형 플라즈마 식각공정을 통해 제작된 460 nm 격자를 갖는 나노 광결정 특성
반도체및디스플레이장비학회지
2006 .01
-
Relative Absorption Edges of GaN/InGaN/GaN Single Quantum Wells and InGaN/GaN Heterostructures by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
한국재료학회지
1999 .01
-
Nanopatterned Surface Effect on the Epitaxial growth of InGaN/GaN Multi-quantum Well Light Emitting Diode Structure
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
-
광결정 Nanocavity를 갖는 InGaN/GaN 양자우물구조의 청색 광소자 공정 및 특성평가
전기전자재료학회논문지
2009 .01
-
2 차원 광결정 구조를 적용한 GaN LED 의 광추출 효율 향상
한국통신학회 기타 간행물
2009 .12
-
Gan , InGaN / GaN 에피층의 광펌핑에 의한 자극방출 특성 ( Stimulated Emission from Optically Pumped GaN , InGaN / GaN Epilayers )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
GaN, InGaN/GaN 에피층의 광펌핑에 의한 자극방출 특성
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
-
금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구
한국재료학회지
2000 .01
-
유기금속화학기상증착법을 이용한 청색 발광 InGaN/GaN MQWs의 성장에 관한 연구
전자공학회논문지-SD
2000 .12
-
p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET 제작을 위한 선택적 GaN 식각 공정 개발
한국정보통신학회논문지
2020 .02
-
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
Growth and Characterization of InGaN/GaN MQWs on Two Different Types of Substrate
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .06
-
Enhanced Cathode-Luminescence in a InxGa1-xN/InyGa1-yN Green Light Emitting Diode Structure Using Two-Dimensional Photonic Crystals
Journal of Electrical Engineering & Technology
2008 .06
-
Plasma 공정에 의한 고출력 E-mode GaN 전력반도체 특성 연구
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
InGaN/GaN Single Quantum Well의 광학적 특성 및 전기적 특성의 변화에 미치는 ion beam 조사의 영향
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
-
Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
TEM을 이용한 저온성장된 GaN박막의 결함분석
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
GaN 박막의 ICP 식각후의 광특성
한국재료학회 학술발표대회
2000 .01
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-555-016779923