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The Growth of GaN Depending on Initial Layers of Sapphire Substrate by Hot Wall Epitaxy
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Plasma-assisted MBE 를 이용한 GaN/sapphire 단일층의 성장과 분석
한국통신학회 기타 간행물
2009 .12
GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구
한국재료학회지
2004 .01
Growth of GaN on ( 0001 ) Sapphire Substrates by Remote Plasma-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Growth and Characteristics of Near-UV LED Structures on Wet-etched Patterned Sapphire Substrate
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .09
Growth and Characterization of InGaN/GaN MQWs on Two Different Types of Substrate
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2006 .06
Mg-Doped GaN/Sapphire 구조로 제작된 압전 박막 SAW 필터의 특성분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Growth and Properties of GaN Substrates by HVPE Method
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Growth of Substrate-Free GaN Wafer
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
전처리된 사파이어 기판에 성장한 GaN의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
ZnO 기판 위에 Hydride Vapor-Phase Epitaxy법에 의한 GaN의 성장
한국재료학회지
2002 .01
표면 가공 방법에 의한 GaN 기판의 제작과 특성
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
Patterned substrate을 이용하여 MOCVD법으로 성장된 고효율 질화물 반도체의 광특성 및 구조 분석
한국재료학회지
2005 .01
SAPPHIRE SURFACE MODIFIED BY REACTIVE ION BEAM FOR GaN DEPOSITIONS
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
The Growth of GaN on a Si Substrate using AIN Buffer Layer
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Effects of Flux-Growth Conditions on Morphologies of Individual Crystals in Li4Ti5O12 Crystal Layer
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 Sapphire기판 상에 GaN후막의 성장특성에 관한 연구
한국재료학회지
1997 .01
Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
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