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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김제원 (고려대학교 재료공학과) 손창식 (고려대학교 재료공학과) 장영근 (고려대학교 재료공학과) 최인훈 (고려대학교 재료공학과) 박영균 (한국과학기술연구원 반도체연구실) 김용태 (한국과학기술연구원 반도체연구실)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제9권 제1호
발행연도
1999.1
수록면
42 - 45 (4page)

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The room temperature optical transmission spectra of GaN /InGaN/GaN single quantum wells (SQW) and InGaN/GaN heterostructures grwon by low pressure metalorganic chemical vapor deposition have been measured. The dependence of the absorption edges of the GaN/InGaN/GaN SQW on the well width has been determined from the transmission spectra. The result shows that the absorption edge of GaN/InGaN/GaN SQW shifts towards lower energy as increasing the well width. The dependence of the absorption edges of the InGaN/GaN heterostructures on InN mole fraction has also been determined from the transmission spectra. The result is compared with calculated values obtained from Vegards's laws. Our result shows a good agreement with the calculated values.

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