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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.8
- 수록면
- 182 - 185 (4page)
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This paper explains the characteristics of highpower E-mode GaN power semiconductor according to plasma process. If the Epi structure is fixed, the only way to improve the output of the E-mode GaN device is to lower the resistance of the ohmic contact. There is a method of lowering resistance through ohmic metal and thermal process, but a damage layer between ohmic metal and AlGaN formed by plasma process in the process of selectively etching p-GaN increases resistance. In addition, remaining p-GaN may increase resistance after thermal process. In this paper, it was confirmed that the characteristics of the E-mode GaN power semiconductor are improved when the p-GaN is etched by reducing the ICP power, and confirmed how the remaining p-GaN affects the device after etching.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결과
IV. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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