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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 1,045 - 1,057 (13page)
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The authors investigated the InGaN/GaN multi-quantum well blue light emitting devices with the implementation of the photonic crystals fabricated at the top surface of p-GaN layer and the bottom interface of n-GaN layer. The top photonic crystals result in the lattice-dependent photoluminescence spectra at the wavelength of 450 ㎚ and however, the bottom photonic crystal shows a big shift of the photoluminescence peak from 444 ㎚ to 394 ㎚. The sample with the bottom photonic crystal structure also shows the lasing effect at the wavelength of 468 ㎚. Furthermore, the quality enhancement for the crystal growth of GaN thin film on the bottom photonic crystal comes from the modulated compressive stress which was measured by the micro-Raman spectroscopy.
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C. S. Kee / 1999 / Essential parameter in the formation of photonic band gaps / Phys. Rev. E 59 (4) : 4695 ~
E.Yablonovitch / 1987 / Inhibited spontaneous emission in solid-state physics and electronics / Phys. Rev. Lett. 58 (20) : 2059 ~
G. R. Yi / 2005 / Photonic crystals for controlling the light / News Inform. Chem. Eng. 23 (4) : 446 ~
G. S. Shin / 2003 / Time-Resolved Photoluminescence Measurement of Frenkel-type Excitonic Lifetimes in InGaN/GaN Multi-Guantum Well Structures / Transactions on Electrical a
In Goo Lee / 2006 / Nanophotonics of Hexagonal Lattice GaN Crystals Fabricated using an Electron Beam Nanolithography Process / International Journal of Precision Engineering
E.Yablonovitch / 1987 / Inhibited spontaneous emission in solid-state physics and electronics / Phys. Rev. Lett. 58 (20) : 2059 ~
G. R. Yi / 2005 / Photonic crystals for controlling the light / News Inform. Chem. Eng. 23 (4) : 446 ~
G. S. Shin / 2003 / Time-Resolved Photoluminescence Measurement of Frenkel-type Excitonic Lifetimes in InGaN/GaN Multi-Guantum Well Structures / Transactions on Electrical a
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