TSV 기반 3차원 반도체 패키지 ISB 본딩기술

이재학; 송준엽; 이영강; 하태호; 이창우; 김승만

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저자정보: 이재학 (한국기계연구원) 송준엽 (한국기계연구원) 이영강 (한국기계연구원) 하태호 (한국기계연구원) 이창우 (한국기계연구원) 김승만 (한국기계연구원)

저널정보: Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.31 No.10

발행연도: 2014.10

수록면: 857 - 863 (7page)

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In this work, we introduce various bonding technologies for 3D package and suggest Insert-Bump bonding (ISB) process newly to stack multi-layer chips successively. Microstructure of Insert-Bump bonding (ISB) specimens is investigated with respect to bonding parameters. Through experiments, we study on find optimal bonding conditions such as bonding temperature and bonding pressure and also evaluate in the case of fluxing and no-fluxing condition. Although nofluxing bonding process is applied to ISB bonding process, good bonding interface at 270℃ is formed due to the effect of oxide layer breakage.

#TSV (실리콘 관통비아) #3D Packaging (3차원 패키징) #Insert-Bump Bonding (삽입형 본딩) #Cu Pillar Bump (구리필러범프)

참고문헌 (10)

참고문헌 신청

Garrou, P. / 2008 / Handbook of 3D Integration / WILEY-VCH

Tan, C. S. / 2008 / Wafer Level 3-D ICs Process Technology / Springer :72~83

Al-Sarawi, S. F. / 1998 / A Review of 3-D Packaging Technology / IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology, Part B: Advanced Packaging 21(1):2~14

Lannon, J. / 2009 / High Density Cu-Cu Interconnect Bonding for 3-D Integration / Proc. of 59th Electronic Components & Technology Conference :355~359

Lee, C. -B. / 2002 / Effect of Isothermal Aging on Ball Shear Strength in BGA Joints with Sn-3. 5Ag-0. 75Cu Solder / Materials Transactions 43(8):1858~1863

이 논문의 저자 정보

이재학

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송준엽

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논문수 6 이용수 461

하태호

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이창우

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김승만

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