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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 57 - 60 (4page)
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We report the fabrication of quantum dot infrared photodetectors (QDIPs) on silicon (Si) substrates by means of metal wafer bonding and an epitaxial lift-off process. According to the photoluminescence (PL) and x-ray diffraction measurements, the QDIP layer was transferred onto the Si substrate without degradation of the crystal quality or residual strain. In addition, from the PL results, we found that an optical cavity was formed because Pt/Au of the bonding material was served as the back mirror and the facet of the GaAs/air was served as the front mirror. The device performance capabilities were directly compared and peak responsivity was enhanced by nearly twofold from 0.038 A/W to 0.067 A/W.
목차
Abstract
I. 서론
II. 소자 제작
III. 결과 및 토의
IV. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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