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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
손영수
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第1號
발행연도
2007.1
수록면
22 - 27 (6page)

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반도체 또는 평판디스플레이 제조에 있어 노광공정 후의 PR(photoresist) 제거 공정으로 이용하기 위하여 경계 막 제어에 의한 오존처리공정 및 설비 구현에 대한 연구를 수행하였다. 개발한 초 고농도 오존생성기술과 vapor 발생 방식 경계 막 제어오존처리공정설비에 의해 실리콘 웨이퍼 PR 제거시험을 수행하였으며 오존가스농도 16wt%, 오존가스 유량 8[ℓ/min]에서 약 400㎚/분의 높은 PR 제거율을 달성하였다.
#Photoresist #PR Strip Process #Boundary Layer Control #Ozone Process #Vapor Generator

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 경계 막 제어 방식 오존처리 시스템 구성
Ⅲ. PR 제거시험 및 결과 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (8)

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1. [학술지(정기간행물)] - / / Ozonated Water for Wafer Cleaning and Potoresist Removal google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / / The Study of Temperature Effect in Photoresist Stripping with DIO3 Process google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 1991 / Ozone in water treatment; application and engineering google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 1992 / in Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / / in Cleaning Technology in Semiconductor Device manu- facturing V google schola

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