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대한전기학회 전기학회논문지 C 전기학회논문지 제55C권 제12호
발행연도
2006.12
수록면
591 - 596 (6page)

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we have been developed on the ultra high concentration ozone generator system which is the core technology in the realization of the semiconductor photoresist strip process using the ozone-vapor chemistry. The proposed ozone generator system has the structure of the surface discharge type which adopt the high purity ceramic dielectric tube.
We investigate the performance of the proposed ozone generator system experimentally and the results show that the system has very high ozone concentration characteristics of 19.7[wt%/O₂] at the flow rate of 0.3[ℓ/min] of each discharge cell. As a result of the silicon wafer photoresist strip test, we obtained the strip rate of about 400[㎚/min] at the ozone concentration of 16[wt%/O₂] and flow rate of 8[ℓ/min.]. So, we confirmed that it's possible to use the proposed high concentration ozone generator system for the ozone-vapor photoresist strip process in the semiconductor and FPD industry.
#오존 증기 #오존발생장치 #감광막 제거 #연면방전 #수 전극

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험장치 구성
3. 오존 생성 실험 결과
4. 감광막 제거시험 및 고찰
5. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Bruno Langlais David A / 1991 / Ozone in water treatment google schola 2. [학술지(정기간행물)] - W. Kern / 1993 / Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology : 383 ~ 391 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - J. K. Tong / 1992 / Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing : 18 ~ 12 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Wei / 1998 / Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing V : 496 ~ 504 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - 손영수 / December2004 / PR제거공정 적용을 위한 오존수 생성 기술 연구 12 : 1107 ~ 1114 dbpia

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