PR 제거공정 적용을 위한 오존 수 생성기술 연구

손영수; 채상훈

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자료유형: 학술저널

저자정보: 손영수 채상훈

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제12호

발행연도: 2004.12

수록면: 13 - 19 (7page)

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반도체 또는 평판디스플레이 제조에 있어 노광공정 후의 PR(photo-resist) 제거 공정으로서 기존의 황산기반 용액을 대체하는 고농도 오존 수 생성 기술에 대한 연구를 수행하였다 세라믹 연면방전구조의 오존발생장치를 개발하여, 05[ℓ/mm] 의 산소 유량에서 최대 12[wt%] 이상의 오존가스 농도를 얻었으며, 이를 고농도로 물과 혼합하기 위한 고효율 오존정촉장치를 개발하였다. 오존 수 생성 실험 결과, 오존가스 10[wt%] 에서 80[ppm] 이상의 오존 수 농도를 달성하였으며 , 70[ppm] 의 오존 수에서 PR 제거율 147[m 띠 run] 의 양호한 결과를 얻었다.

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[학술지(정기간행물)] - W. Kern / 1993.저자소개손영수 / Handbook of Semiconductor wafer Cleaning Technology 1982년 동국대학교 전자공학과 학사 졸업.1984년 동국대학교 전자공학과 석사 졸업.1996년 동국대학교 전자공학과 박사 졸업.1989년-현 재 한국기계연구원 1981년 경북대학교 전자공학과 학사 졸업.1983년 부산대학교 전자공학과 석사 졸업.1992년 부산대학교 박사 졸업.1983년-1997년 한국전자통신연구원1997년-현 재 호서대학교 전자공학과 : 383 ~ 391

[학술지(정기간행물)] - J. K. Tong / 1992. / Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing : 18 ~ 12

[학술지(정기간행물)] - J.Wei / 1998 / Cleaning Technology in Semiconductor Device manu-facturing V : 496 ~ 504

[학술지(정기간행물)] - S / 1999.07 / Ozonated Water for Wafer Cleaning and Potoresist Removal : 107 ~ 112

[학술지(정기간행물)] - J. Cheng / April1999 / The Study of Tempera -ture Effect in Photoresist Stripping with DIO3 Process

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이 논문의 저자 정보

채상훈

소속기관 호서대학교

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 정보통신공학 TOP 10% 공학 > 전기전자공학 > 전자공학

논문수 85 이용수 4,631

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