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논문 기본 정보

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저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 2001년 ICPE논문집
발행연도
2001.10
수록면
26 - 30 (5page)

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In this paper, transient characteristics of IGBT has been analytically solved to express the excess minority carrier distribution in active base region and the output voltage. Non-Punch Through(NPT) structure has been selected to prove the validity of the model. It is based on the equivalent circuit of MOSFET which supplies a low gain and a high level injection to the base of BJT None of the quasi static conditions have been assumed to trace the transient characteristics The basic elements of the model have been derived from the ambipolar transport theory.
Theoretical predictions of the output voltages have been obtained with different lifetimes and compared with experi­mental and theoretical results available in the literature From the analytical approach, good agreement has been obtained to provide reliable and fast output of the device.

목차

Abstract

1.Introduction

2.IGBT Model

3.Results and Discussions

4.Conclusion

Reference

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-560-014236746