분자선 에피택시 장치 제작 및 진단

임재영 ,  이철로 ,  노삼규 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

분자선 ( Epitaxy )

강태원

전자공학회지

1987 .02

소자분리를 위한 선택적 실리콘 에피택시 ( Selective Si Epitaxy for Device Isolation )

양전욱 ,  조경익 ,  박신종

전자공학회논문지

1986 .11

분자선에피택시성장법으로 성장한 AlAS/GaAs 에피택셜층의 특성

노동완 ,  김경옥 ,  이해권

한국재료학회지

1997 .01

저온 Si 에피택시 박막의 결정화 거동 및 미세구조에 대한 연구

김동현 ,  최규진 ,  남승의 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

양자샘 레이저의 분자선속 생장과 작동특성 ( Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of Quantum Well Laser )

우종천 ,  우덕하 ,  이정승 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1990 .01

선택적 액상 에피택시에 의한 집적광학용 수동소자

김상배 ,  권영세

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

선택적 액상 에피택시에 의한 집적 광학용 수동소자 ( Integrated Optical Passive Devices Fabricated by Selective Liquid Phase Epitaxy )

김상배 ,  권영세

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

단결정 초내열합금의 레이저 에피택시 클래딩 기술

홍현욱 ,  조창용

대한용접·접합학회지

2010 .04

선택적 에피택시를 위한 에피택셜층 및 폴리실리콘의 성장과 에칭 ( Growth and Etching of Epitaxial Layer and Polysilicon for the Selective Epitaxy )

조경익 ,  김창수 ,  정호선 외 1명

전자공학회지

1985 .01

분자선결정성장과 반사고에너지전자회절상의 강도진동 ( The Molecular Beam Epitaxy and Reflection High Energy Electron Deflection Intensity Oscillation )

이해권 ,  이정희 ,  이재진 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1992 .01

분자선 에피시탁법으로 저온에서 성장된 CdTe ( 111 ) / GaAs ( 100 ) 이종박막의 급속열처리에 따른 특성 연구

김문덕 ,  김미경 ,  임재현 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

비소화 갈륨 (GaAs)의 선택적 액상 에피택시 : 성장기구 및 형태

김상배 ,  권영세

대한전기학회 학술대회 논문집

1986 .07

분자선 결정 성장 온도의 변화에 따른 Si-doped In0.52Al0.48As의 깊은 준위에 관한 연구 ( The Dependence of Deep Levels of molecular Beam Epitaxial Si-doped In0.52Al0.48As on Growth Temperature )

오원웅 ,  유성룡 ,  오재응 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

분자선 박막성장법에 의한 고성능 GaAs MESFET ( High Performance GaAs MESFET Using Molecular Beam Epitaxy )

곽동화 ,  이희철

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

저온 변조 성장 기법을 이용하여 Sb가 δ 도핑된 다층 구조의 Si 분자선 박막 성장과 특성 분석 ( Molecular beam epitaxial growth and characterization of Sb δ-doped Si layers using substrate temperature modulation technique )

이찬호

전자공학회논문지-A

1995 .12

분자선 결정 성장 온도의 변화에 따른 Si-doped In0.52Al0.48As의 깊은 준위에 관한 연구

오원웅 ,  유성룡 ,  오재웅 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

저온 변조 성장 기법을 이용한 SiGe 의 분자선 성장과 Sb δ 도핑에 관한 연구 ( Molecular beam epitaxial growth and Sb δ- doping of SiGe layers using substrate temperature modulation technique )

이찬호 ,  김동명

전자공학회논문지-D

1997 .04

InP 기판 위에 저온 분자선 에피탁시로 성장된 In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 다중 양자 우물의 특성 평가 ( Material properties fo In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MQWs grown on InP substrates by low-temperature molecular beam epitaxy )

이종수 ,  최우영

전자공학회논문지-D

1998 .05

분자선에피택셜 방법으로 성장한 In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT구조내의 V 및 X 자형 결함에 관한 연구 ( A Study on the V and X shape defects in In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method )

이해권 ,  홍상기 ,  김상기 외 4명

전자공학회논문지-D

1997 .07