분자선 ( Epitaxy )

강태원

전자공학회지

1987 .02

분자선 에피택시 장치 제작 및 진단

임재영 ,  이철로 ,  노삼규 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Laser Molecular Beam Epitaxy system에서 Reflection High Energy Electron Diffraction을 통한 $BaTiO_3$/Sr$TiO_3$ 산화물 인공격자의 성장과 구조적 분석

이창훈 ,  김이준 ,  전성진 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

라디칼 빔 보조 분자선 증착법 (Radical Beam Assisted Molecular Beam Epitaxy) 법에 의해 성장된 ZnO 박막의 발광 특성에 관한 연구

서효원 ,  변동진 ,  최원국

한국재료학회지

2003 .01

분자선 박막성장법에 의한 고성능 GaAs MESFET ( High Performance GaAs MESFET Using Molecular Beam Epitaxy )

곽동화 ,  이희철

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Li-doped p-type ZnS Grown by Molecular Beam Epitaxy

Sang-Tae Lee

Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)

2005 .05

전자빔을 이용한 중금속이온 (Cr⁺⁶) 의 제거

권기식 ,  이홍승 ,  김병남 외 4명

대한환경공학회 학술발표논문집

1999 .04

분자선 에피택시

김봉렬

전자공학회잡지

1983 .10

Molecular Beam Epitaxy법으로 성장된 Hg0.8 Cd 00.2 Te박막에 대한 수소화 효과

김문덕 ,  한명수 ,  백정훈 외 8명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

I/f Noise in GaAs MESFETs Grown by Molecular Beam Epitaxy

송명호 ,  이헌호 ,  이윤상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .05

분자선에피텍시를 이용하여 성장한 $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si 이종접합구조에서의 In Situ-Doped Boron 의 확산 거동에 관한 연구

윤선진 ,  이승창 ,  박신종

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF ZINC OXIDE FILMS DEPOSITION BY ION BEAM ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY

Sung Jin Kim ,  Se-Young Choi

AFORE

2012 .11

전자빔용접시 자기에 의한 빔편향 고찰 ( A study on Beam deflection by magnetism in Electron beam welding )

손현락 ,  이규식 ,  심덕남 외 1명

대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집

1998 .01

InP 기판 위에 저온 분자선 에피탁시로 성장된 In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 다중 양자 우물의 특성 평가 ( Material properties fo In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MQWs grown on InP substrates by low-temperature molecular beam epitaxy )

이종수 ,  최우영

전자공학회논문지-D

1998 .05

분자선에피택셜 방법으로 성장한 In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT구조내의 V 및 X 자형 결함에 관한 연구 ( A Study on the V and X shape defects in In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method )

이해권 ,  홍상기 ,  김상기 외 4명

전자공학회논문지-D

1997 .07

Silicon Epitaxy

송성해

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

양자샘 레이저의 분자선속 생장과 작동특성 ( Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of Quantum Well Laser )

우종천 ,  우덕하 ,  이정승 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1990 .01