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이용수
1. 서론
2. 확산에 의해 결정되는 성장 ; 수치해석 결과
3. 실험 결과 및 토의
참고문헌
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비소화갈륨의 선택적 액상 에피층 성장 ; 성장기구 및 형태 ( Selective Liquid Phase Epitaxy of GaAs ; Kinetics and Morphology )
전자공학회논문지
1986 .11
액상 Epi층 성장 방법에 의한 GaAs다층 구조의 성장 ( GaAs Multilayer Growth by Liquid Phase Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1982 .01
갈륨 · 비소 ( GaAs ) 화합물 반도체의 단결정 성장에 관한 최신 기술동향
전자공학회지
1987 .08
선택적 액상 에피택시에 의한 집적 광학용 수동소자 ( Integrated Optical Passive Devices Fabricated by Selective Liquid Phase Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
선택적 액상 에피택시에 의한 집적광학용 수동소자
대한전자공학회 학술대회
1986 .12
GaAs 결정성장
대한전자공학회 단기강좌
1986 .01
PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성
한국재료학회지
1993 .01
GaAs Technology
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )
전자공학회지
1985 .11
Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
Co/GaAs 계면 반응에 미치는 GaAs 기판의 표면처리 영향
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
레이저 CVD를 이용한 GaAs/GaAs 및 GaAs/Si 결정성장연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1989 .07
고효율 GaAs / GaAs p-n, p-i-n 태양전지에 관한 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
1999 .04
MBE에 의한 GaAs 에피층 성장 ( GaAs Epilayer Growth by Molecular Beam Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
GaAs 에피 성장 기술의 최근 연구 동향
[ETRI] 전자통신동향분석
1988 .12
소자분리를 위한 선택적 실리콘 에피택시 ( Selective Si Epitaxy for Device Isolation )
전자공학회논문지
1986 .11
액상 에피층 성장방법에 의한 AlGaAs/GaAs 이중 헤테로 구조의 성장과 LED의 제작 ( Growing of AlGaAs/GaAs Double-Heterostructure by the Liquid Phase Epitaxy Method and Fabrication of the Light Emitting Diode )
전자공학회지
1984 .09
D. T. P. 방법에 의한 InGaAsP / GaAs 액상결정성장
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
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