분자선 결정 성장 온도의 변화에 따른 Si-doped In0.52Al0.48As의 깊은 준위에 관한 연구

오원웅 ,  유성룡 ,  오재웅 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

저온 변조 성장 기법을 이용하여 Sb가 δ 도핑된 다층 구조의 Si 분자선 박막 성장과 특성 분석 ( Molecular beam epitaxial growth and characterization of Sb δ-doped Si layers using substrate temperature modulation technique )

이찬호

전자공학회논문지-A

1995 .12

Doping된 Si 반도체 계면에서 Ph 효과 ( Ph Effects at Doped Si Semiconductor Interfaces )

천장호 ,  나극환

전자공학회논문지

1990 .12

Parametric study of the process parameters on the Si epitaxial growth

Imama Zaidi ,  Dong Guk Ko ,  Ik-Tae Im

대한기계학회 춘추학술대회

2017 .05

Al-doped ZnO 박막의 기판 온도에 따른 전기적, 광학적 특성

金俸奭 ,  金應權 ,  李揆一 외 2명

전기학회논문지

2007 .10

Epitaxial Growth of Boron-doped Si Film using a Thin Large-grained Si Seed Layer for Thin-film Si Solar Cells

Seung Mo Kang ,  Kyung Min Ahn ,  Sun Hong Moon 외 1명

Current Photovoltaic Research

2014 .03

Si-doped GaAs의 수소화 처리

오태석 ,  주웅길 ,  이번 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Low-temperature Epitaxial Growth of a Uniform Polycrystalline Si Film with Large Grains on SiO₂ Substrate by Al-assisted Crystal Growth

Kyung Min Ahn ,  Seung Mo Kang ,  Seon Hong Moon 외 2명

Current Photovoltaic Research

2013 .12

SiO₂-Si 구조의 계면 준위 측정에 미치는 빛의 영향

민병훈 ,  이정한

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

SiC_p/Al-Si 복합재료의 고온변형 특성

전정식 ,  고병철 ,  김명호 외 1명

소성·가공

1994 .12

델타 도핑한 P형 SiC막의 평가

김태성 ,  정우성 ,  남해곤

한국태양에너지학회 논문집

1990 .12

Heavily Si-Doped GaAs

Nam Young Lee ,  Chul Lee ,  Jae Eun Kim 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Al-Si합금의 제조공정에 따른 고온변형특성 비교

김다영 ,  권용남 ,  하상백 외 1명

한국소성가공학회 학술대회 논문집

2011 .05

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과

李鐵眞

전기학회논문지

1998 .12

열처리 조건에 따른 Al-Si 접촉

김태형 ,  유석빈 ,  김창일 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1990 .07

Atomic Layer Deposition으로 증착된 Al-doped ZnO Film의 전기적, 구조적 및 광학적 특성 분석

임정수 ,  이가원 ,  신홍식 외 4명

전기전자재료학회논문지

2011 .01

저온 Mbe 방법으로 성장한 Undoped 및 Si-Doped GaAs Layer ( Undoped and Si-Doped Gaas Layer Grown at Low Temperature by Molecular Beam Epitaxy )

김태근 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

Si 모재 위의 Si_(x)Ge_(1-x) 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 ( Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a Si_(x)Ge_(1-x) Epitaxial Film on a Si Substrate )

신정훈 ,  김재현 ,  엄윤용

대한기계학회 춘추학술대회

2001 .06

저온 MBE 방법으로 성장한 undoped 및 Si-doped GaAs layer

김태근 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06