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반도체 양자 우물 레이저에서 양자 구조 효과의 연구 ( Effect of Quantum Structure on Semiconductor Quantum Well Laser )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
Quantum Well Layer Growth of below 100 A and Fabrication of Laser Diode Using Liquid Phase Epitaxial Method
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
저온 변조 성장 기법을 이용하여 Sb가 δ 도핑된 다층 구조의 Si 분자선 박막 성장과 특성 분석 ( Molecular beam epitaxial growth and characterization of Sb δ-doped Si layers using substrate temperature modulation technique )
전자공학회논문지-A
1995 .12
분자선 결정 성장 온도의 변화에 따른 Si-doped In0.52Al0.48As의 깊은 준위에 관한 연구 ( The Dependence of Deep Levels of molecular Beam Epitaxial Si-doped In0.52Al0.48As on Growth Temperature )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF SHORT PERIOD SUPERLATTICE
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
Quantum Well Lasers
대한전자공학회 워크샵
1990 .01
분자선 ( Epitaxy )
전자공학회지
1987 .02
건강샘
전기의세계
2001 .10
Digital-to-quantum interface and efficient quantum process management for practical quantum computation
한국통신학회 학술대회논문집
2019 .01
분자선 에피택시
전자공학회잡지
1983 .10
MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
저온 변조 성장 기법을 이용한 SiGe 의 분자선 성장과 Sb δ 도핑에 관한 연구 ( Molecular beam epitaxial growth and Sb δ- doping of SiGe layers using substrate temperature modulation technique )
전자공학회논문지-D
1997 .04
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .11
분자선 에피택시 장치 제작 및 진단
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
양자 후 암호에 대한 양자공격
한국통신학회 학술대회논문집
2017 .06
Fabrication and Characterization of Quantum Wells
대한전자공학회 워크샵
1989 .01
양자점
고분자 과학과 기술
2012 .10
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과
전기학회논문지
1998 .12
레이저 빔의 특성에 의한 표면구조의 레이저 유도변조 연구
전기학회논문지
1998 .02
고전적 양자기계학습을 위한 양자간섭의 이해
한국통신학회 학술대회논문집
2018 .06
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