인 도핑 다결정 실리콘 산화막의 전기적 특성에 관한 연구 ( A Study on the Electrical Characteristics of Oxide Grown from Phosphorous-Doped Polysilicon )

윤형섭 ,  강상원 ,  박신종

전자공학회논문지

1986 .11

이온 주입에 의한 다결정 실리콘의 응력 구배 완화 및 물성 개선

석지원 ,  강태준 ,  이상준 외 5명

한국항공우주학회지

2003 .12

P형 in-situ 도핑 폴리실리콘 막질에 관한 연구

오정섭 ,  이상은 ,  노진태 외 3명

전기전자재료학회논문지

2008 .01

Contact 이온주입과 Metal 증착이 다결정 실리콘저항의 면저항에 미치는 영향 ( The Effect of Sheet Resistance of Polysilicon Resistor with Contact Implantation and Metal Deposition )

박종태 ,  최민성 ,  이문기 외 1명

전자공학회논문지

1987 .11

실리콘 박막에서 이온 질량 도핑에 의해 주입된 인의 전기적 활성화에 관한 연구 ( A Study on the Electrical Activation of Ion Mass Doped Phosphorous on Silicon Films )

김진호 ,  주승기 ,  최덕균

전자공학회논문지-A

1995 .01

BF2를 주입한 다결정 실리콘 게이트에서 유전 박막에 따른 Boron 침투에 대한 특성 분석 ( The Characteristics Analysis of Boron Penetration on BF2 Implanted gate with Dielectric Films )

박진산 ,  정윤호 ,  박광균 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

BF₂를 주입한 다결정 실리콘 게이트에서 유전 박막에 따른 Boron 침투에 대한 특성 분석

朴進山 ,  鄭允皓 ,  朴光均 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

Fabrication and Characteristics of a Polysilicon Resistor with Low Temperature Coefficient

이태우 ,  노태문 ,  김천수 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )

손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

원자로 기기 열수력 해석 코드에서 붕소 수송 방정식의 구현

박익규 ,  이승욱 ,  윤한영

한국전산유체공학회지

2013 .12

POCl2 도핑 및 비소 이온주입공정으로 제작한 높은 열적 안정성을 갖는 다결정실리콘 저항소자 특성 ( Characteristics of Polysilicon Resistors with High Thermal Stability Fabricated by POCl3 Doping and Arsenic Implantation )

이대우 ,  노태문 ,  구진근 외 1명

전자공학회논문지-D

1998 .07

Novel Polymer Electrolytes Containing Phosphorous Compounds

김재경 ,  조현남 ,  이희우 외 1명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

1992 .10

P⁺Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron 침투현상에 대한 모델링 및 최적화

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

P+ Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron침투현상에 대한 모델링 및 최적화 ( Modeling and optimization for boron penetration on p+ polysilicon gated PMOSFET )

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

고전 분자 동 역학 시뮬레이션을 이용한 실리콘 격자 손상과 극 저 에너지 붕소 이온 주입에 관한 연구

姜正遠 ,  康裕硬 ,  孫明植 외 2명

전자공학회논문지-D

1998 .12

저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션

손명식 ,  권오근 ,  이준하 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

이온주입에 의한 다결정 실리콘의 고유저항 모델링 ( The Resistivity Modeling of Ion Implanted Polycrystalline Silicon )

박종태 ,  이문기 ,  김봉렬

전자공학회논문지

1986 .05

1 MeV 고에너지로 붕소 ( Boron ) 와 인 ( Phosphorus ) 을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일 ( A Study on Boron and Phosphorus Doping Profile by RTA using 1MeV High Energy Ion Implantation )

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

Characterization of Nickel-Boron Coatings Prepared from Different Organic Boron Complexes

Joo Yul Lee ,  Man Kim ,  Jong Il Lee

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

1MeV 고에너지로 붕소(Boron)와 인(Phosphorus)을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06