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이용수
Abstract
I. INTRODUCTION
II. REVIEW OF PREVIOUS WORKS
III. SINGLE-ENDED DIFFERENTIAL RF SIGNAL PROCESSING METHODS USING COMPLEMENTARY DEVICES
IV. HIGH IP₂ AMPLIFIER AND DIFFERENTIAL MIXER CIRCUITS USING COMPLEMENTARY CHARACTERISTIC OF CMOS
V. FABRICATION AND MEASUREMENTS
VI. CONCLUSIONS
REFERENCES
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2006 .07
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제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집
2007 .12
Submicron MOS Devices
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )
전자공학회지
1985 .07
RF 적용을 위한 MOS 트랜지스터의 매크로 모델링 ( Macro Modeling of MOS Transistors for RF Applications )
전자공학회논문지-D
1999 .05
Reduction of Breakdown Voltage in I-MOS Devices
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
Circuit Elements using Mos Transistors
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
RF MEMS Devices for Wireless Applications
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2001 .03
MOS 구조의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1986 .07
3-Level Topologies
전력전자학회 학술대회 논문집
2013 .07
MOS 영상 소자의 출력 회로 분석 ( Analysis of Output Circuits of the MOS Image Sensor )
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1988 .11
Topology based Design
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1998 .09
RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 MoS₂ 박막의 윤활 특성에 관한 연구
한국표면공학회지
2000 .08
D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계
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1983 .01
Network topology에 대하여 1
전기의세계
1965 .10
RF / IF Front-end Design
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1997 .01
RF-CMOS 소자의 온도에 따른 DC 및 RF 특성 ( Temperature Dependence of DC and RF characteristics of CMOS Devices )
전자공학회논문지-SD
2000 .03
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