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이용수
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 시뮬레이션을 위한 이론 및 계산 방법
Ⅲ. 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
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분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Silicon Point Defects and Ultra-Low Energy Si Ion Implantation using Classical Molecular Dynamics )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
A Study on the Ultra-Low Energy Ion Implantation Using Classical Molecular Dynamics Simulation
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
전자공학회논문지-A
1995 .08
GSI소자 개발을 위한 극 저 에너지 이온 주입에 대한 분자 역학 시뮬레이션 ( Molecular dynamics simulation of ultra-low energy ion implantation for GSI device technology development )
전자공학회논문지-D
1998 .03
이온주입 특성 개선을 위한 분자동역학적 연구
에너지공학
2009 .06
국부 셀 격자 결함 모델을 사용한 극 저 에너지 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Ultra-Low Energy Ion Implantation using Local Cell Damage Accumulation Model )
전자공학회논문지-D
1999 .07
금속이온주입 특성 개선을 위한 분자동역학적 연구
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2009 .06
단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
비소이온주입에 의해 선 무정형화된 실리콘 속으로 이온주입된 붕소원자의 농도분포
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
1 MeV 고에너지로 붕소 ( Boron ) 와 인 ( Phosphorus ) 을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일 ( A Study on Boron and Phosphorus Doping Profile by RTA using 1MeV High Energy Ion Implantation )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
1MeV 고에너지로 붕소(Boron)와 인(Phosphorus)을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
실리콘 웨이퍼의 이온주입각 변화에 의한 이온반사율에 관한 연구
전기학회논문지
1991 .06
실리콘에 붕소의 고에너지 이온주입에 의한 농도분포에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2002 .01
이온 주입된 프로파일의 3-D의 해석적인 모델에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2012 .01
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
저 에너지 이온 주입의 개선을 위한 변형된 감속모드 이온 주입의 안정화 특성
전기전자재료학회논문지
2003 .01
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
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